極紫外光刻

第1章 緒論
1.1 光刻技術的歷史背景/1
1.2 光刻技術的組成部分/3
1.3 材料考量和多層膜反射鏡/4
1.4 一般性問題/11
習題/12
參考文獻/12

第2章 EUV光源
2.1 鐳射等離子體光源/15
2.2 放電等離子體光源/28
2.3 自由電子雷射器/32
習題/36
參考文獻/36

第3章 EUV光刻曝光系統
3.1 真空中的EUV光刻/40
3.2 照明系統/45
3.3 投影系統/47
3.4 對準系統/52
3.5 工件台系統/53
3.6 聚焦系統/54
習題/55
參考文獻/56

第4章 EUV掩模
4.1 EUV掩模結構/60
4.2 多層膜和掩模基板缺陷/66
4.3 掩模平整度和粗糙度/71
4.4 EUV掩模製作/74
4.5 EUV掩模保護膜/75
4.6 EUV掩模放置盒/83
4.7 其他EUV掩模吸收層與掩模架構/85
習題/88
參考文獻/88

第5章 EUV光刻膠
5.1 EUV化學放大光刻膠的曝光機制/95
5.2 EUV光刻中的隨機效應/98
5.3 化學放大光刻膠的新概念/108
5.4 金屬氧化物EUV光刻膠/110
5.5 斷裂式光刻膠/111
5.6 真空沉積光刻膠/111
5.7 光刻膠襯底材料/113
習題/114
參考文獻/115

第6章 EUV計算光刻
6.1 傳統光學鄰近校正的考量因素/121
6.2 EUV掩模的三維效應/125
6.3 光刻膠的物理機理/133
6.4 EUV光刻的成像優化/135
習題/138
參考文獻/139

第7章 EUV光刻工藝控制
7.1 套刻/144
7.2 關鍵尺寸控制/149
7.3 良率/151
習題/155
參考文獻/156

第8章 EUV光刻的量測
8.1 掩模基板缺陷檢測/160
8.2 EUV掩模測評工具/163
8.3 量產掩模驗收工具/165
8.4 材料測試工具/168
習題/169
參考文獻/170

第9章 EUV光刻成本
9.1 晶圓成本/173
9.2 掩模成本/181
習題/182
參考文獻/182

第10章 未來的EUV光刻
10.1 k【能走多低/184
10.2 更高的數值孔徑/186
10.3 更短的波長/193
10.4 EUV多重成形技術/194
10.5 EUV光刻的未來/195
習題/195
參考文獻/196
索引

哈利傑萊文森（Harry J. Levinson)，國際光學工程學會（SPIE）會士，HJL Lithography 的獨立光刻顧問和首席光刻師，專注於光刻領域多年。曾在Sierra Semiconductor和IBM擔任過職位。曾將光刻應用於許多不同的技術，包括雙極記憶體、64MB和256MB DRAM開發、專用積體電路晶片製造、磁記錄薄膜磁頭、快閃記憶體和邏輯晶片等。曾數年擔任美國光刻技術工作組主席，參與制定了《國際半導體技術路線圖》中有關光刻技術的章節。他是矽谷首批SVG-5倍步進式光刻機的用戶之一，也是248nm、193nm和極紫外光刻的早期參與者；撰寫的著作還有：《光刻工藝控制》《光刻原理》，擁有70多項美國專利。
 
高偉民，阿斯麥公司（ASML）中國區技術總監，資深的光刻技術專家。獲浙江大學光學工程學士學位和比利時魯汶大學物理學碩士、博士學位，先後就職於比利時微電子研發中心（IMEC）和美國新思科技（Synopsys）。專注光刻技術研發，浸潤光刻技術研發20年，參與了從0.13μm到5nm節點的多世代晶片光刻技術開發，擁有15年極紫外光刻技術研發的豐富經驗。還在各種國際期刊和會議上發表了100多篇論文，擔任多個國際會議組委並多次作邀請演講。