垂直型GaN和SiC功率器件 - 城邦阅读花园






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	目錄譯者的話原書前言第１章垂直型與橫向功率半導體器件.１１.１引言１１.２典型功率半導體器件特性.３１.３垂直型與橫向單極功率半導體器件.４１.３.１垂直型和橫向單極功率開關器件５１.３.２垂直型和橫向單極功率二極體.８１.４總結.１０參考文獻１１第２章GaN和SiC的物理性質.１３２.１引言.１３２.２晶體結構.１４２.２.１ＡｌＮ和GaN的晶體結構.１４２.２.２SiC的晶體結構.１７２.２.３晶體缺陷１８２.３能帶.２０２.４雜質摻雜.２２２.４.１ｎ型摻雜２３２.４.２ｐ型摻雜２４２.５載流子遷移率.２５２.６碰撞電離.２６２.７品質因數.２７２.８總結.２９. 參考文獻２９第３章ｐ￣ｎ結３４３.１引言.３４３.２擴散.３４３.３連續性方程３５３.４載流子複合壽命３６３.４.１帶間複合壽命３６３.４.２間接複合壽命３８３.４.３俄歇複合壽命３９３.４.４載流子複合壽命的整體運算式.３９３.５一維ｐ＋ｎ突變結的耗盡區寬度４１３.６一維正向電流./電壓特性.４３３.６.１小注入條件.４３３.６.２大注入條件.４５３.６.３測量電流./電壓特性的示例４６３.７多維正向電流./電壓特性.４７３.７.１表面複合對ｐ＋ｎ二極體外部電流的影響.４７３.７.２電場強度對非自對準檯面型ｐ＋ｎ二極體的影響４９３.８結擊穿５２３.９總結.５２參考文獻５２第４章光子回收效應５５４.１引言.５５４.２光子回收現象的分類５６４.３本征光子回收.５８４.４本征光子回收對正偏GaNｐ￣ｎ結二極體的影響.６０４.５自熱效應對正偏GaNｐ￣ｎ結二極體的影響.６２４.６非本征光子回收對正偏GaNｐ￣ｎ結二極體的影響６３４.７非本征光子回收的可能模型.６７４.８總結.６８. 參考文獻６８第５章體塊單晶生長７１５.１引言.７１５.２ＨＶＰＥ法生長GaN.７２５.２.１ＨＶＰＥ法生長GaN的機制７２５.２.２GaNＨＶＰＥ法生長中的摻雜７３５.２.３GaN的橫向外延生長.７３５.３高壓氮溶液生長GaN７４５.４鈉助溶劑生長GaN.７４５.５氨熱法生長GaN７４５.６昇華法生長SiC單晶７５５.６.１SiC的昇華法生長原理７５５.６.２昇華法生長SiC單晶中的摻雜.７６５.７高溫化學氣相沉積法生長SiC單晶７６５.８溶液生長法生長SiC單晶７７５.９總結.７７參考文獻７８第６章外延生長８２６.１引言.８２６.２GaN金屬有機化學氣相沉積.８２６.３二維成核理論.８５６.４ＢＣＦ理論.８６６.５４Ｈ￣SiC的化學氣相沉積.８７６.６４Ｈ￣SiC的化學氣相沉積溝槽填充.９２６.７總結.９４參考文獻９５第７章製作工藝９９７.１引言.９９７.２刻蝕.９９. ７.２.１ＩＣＰ刻蝕.１００７.２.２濕法化學刻蝕.１００７.３離子注入.１０２７.３.１離子注入GaN.１０２７.３.２鋁離子注入４Ｈ￣SiC.１０３７.３.３氮離子和磷離子注入４Ｈ￣SiC.１０６７.４擴散.１０６７.４.１SiC中硼擴散的歷史背景１０７７.４.２雙子晶格擴散建模.１０８７.４.３半原子模擬１１０７.５氧化.１１２７.５.１GaN的熱氧化.１１２７.５.２４Ｈ￣SiC的熱氧化１１２７.６金屬化１１３７.６.１與GaN的歐姆接觸.１１３７.６.２與４Ｈ￣SiC的歐姆接觸１１３７.７鈍化.１１４７.８總結.１１４參考文獻.１１４第８章金屬半導體接觸和單極功率二極體.１２３８.１引言.１２３８.２肖特基勢壘的降低.１２５８.３正向偏置的肖特基結１２５８.４基於擴散理論的正向電流./電壓特性.１２７８.５基於ＴＥＤ理論的正向電流./電壓特性.１２９８.６基於ＴＦＥ理論的反向電流./電壓特性.１２９８.７純ＳＢＤ.１３２８.７.１純GaNＳＢＤ１３２８.７.２純４Ｈ￣SiCＳＢＤ.１３４８.８緩變ＡｌGaNＳＢＤ.１３５８.９帶有ｐ＋型薄層的４Ｈ￣SiCＳＢＤ.１３５. ８.１０遮罩平面ＳＢＤ１３８８.１０１GaN混合型ｐ￣ｎ肖特基二極體１３８８.１０２４Ｈ￣SiCＪＢＳ二極體.１３９８.１１總結１４１參考文獻.１４１第９章金屬緣體半導體電容器和單極功率開關器件.１４５９.１引言.１４５９.２ＭＩＳ電容器１４６９.２.１理想的ＭＩＳ電容器.１４６９.２.２緣介質和固定電荷對ＭＩＳ電容器的影響.１４８９.３ＡｌGaN./GaN異質結構.１４９９.４GaN、ＡｌＮ、４Ｈ￣SiC和代表性緣介質的能帶陣容.１５０９.５GaNＨＦＥＴ１５１９.５.１GaNＭＩＳＨＦＥＴ１５１９.５.２GaNＭＥＳＦＥＴ.１５５９.５.３GaNｐ＋柵極ＨＦＥＴ.１５６９.６４Ｈ￣SiCＪＦＥＴ.１５８９.７ＭＩＳＦＥＴ.１５９９.７.１平面ＭＩＳＦＥＴ.１６１９.７.２溝槽ＭＩＳＦＥＴ.１６５９.７.３ＳＪＭＩＳＦＥＴ１６８９.８總結.１６９參考文獻.１６９第１０章雙極功率二極體和功率開關器件１７６１０.１引言１７６１０.２一維ｐ￣ｎ結二極體的優化設計.１７９１０.３具有非均勻摻雜漂移層的GaNｐ￣ｎ結二極體.１８２１０.４４Ｈ￣SiCｐ￣ｉ￣ｎ二極體.１８４１０４.１已報導的４Ｈ￣SiCｐ￣ｉ￣ｎ二極體結果.１８４１０４.２正偏４Ｈ￣SiCｐ￣ｉ￣ｎ二極體的存儲電荷１８５. １０４.３４Ｈ￣SiCｐ￣ｉ￣ｎ二極體的反向恢復.１８６１０.５ｎ￣ｐ￣ｎ雙極電晶體１８６１０５.１集電極層設計１８７１０５.２基極層設計１８９１０５.３二次擊穿的臨界集電極電流密度１８９１０５.４GaNＢＪＴ１８９１０５.５SiCＢＪＴ１９０１０.６肖克利二極體１９０１０６.１肖克利二極體的反向阻斷１９１１０６.２肖克利二極體的正向阻斷１９１１０.７SiC晶閘管１９３１０.８SiC緣柵型晶閘管１９３１０.９總結１９５參考文獻.１９５第１１章邊緣終端.１９９１１.１引言１９９１１.２GaN功率器件的ＭＦＰ２０３１１２.１不帶保護環的ＭＦＰ２０３１１２.２保護環輔助ＭＦＰ.２０４１１.３用於４Ｈ￣SiC功率器件的ＳＭ￣ＪＴＥ.２０４１１.４用於４Ｈ￣SiC功率器件的ＣＤ￣ＪＴＥ.２０５１１.５用於４Ｈ￣SiC功率器件的混合型ＪＴＥ２０５１１.６總結２０６參考文獻.２０７第１２章垂直型GaN和SiC功率器件可靠性２０９１２.１引言２０９１２.２ＨＴＲＢ應力耐受性２０９１２.３ＨＴＧＢ應力耐受性２１１１２.４Ｈ３ＴＲＢ應力耐受性２１２１２.５ＴＣ應力耐受性.２１３ .１２.６ＨＴＯ應力耐受性.２１３１２.７地面宇宙輻射耐受性.２１３１２.８總結２１５參考文獻２１５