電子微組裝可靠性設計（應用篇）

本書介紹了電子微組裝元件的互連結構特點，全面闡述了電子微組裝材料及結構在各種應力條件下的退化機理和失效模式，提出了基於失效物理的電子微組裝產品可靠性設計指標分解技術和可靠性設計技術。
 
全書分基礎篇和應用篇，基礎篇分別論述了熱、機械、潮濕、鹽霧、電磁應力下的電子微組裝失效機理和可靠性設計方法，應用篇給出了電子微組裝元件可靠性設計解決方案及應用實例。

第1章 概述t（1）
1．1 微組裝可靠性設計方法及核心技術鏈t（1）
1．1．1 失效物理方法及核心技術鏈t（1）
1．1．2 潛在失效機理分析t（2）
1．1．3 可靠性設計指標分解t（3）
1．1．4 潛在失效評估和優化設計t（4）
1．2 微組裝熱失效及控制方法t（4）
1．2．1 微組裝熱問題t（4）
1．2．2 分立器件和元件熱特性t（5）
1．2．3 多熱源組件熱特性t（22）
1．2．4 可靠性熱設計方法t（26）
1．3 微組裝力學損傷及控制方法t（32）
1．3．1 微組裝力學問題t（33）
1．3．2 金屬氣密封裝抗振可靠性要求t（33）
1．3．3 真空電子器件振動失效控制t（35）
1．4 微組裝材料和內裝元器件的可靠性保證t（35）
1．4．1 微組裝材料的品質保證t（36）
1．4．2 裝元器件的可靠性保證t（37）
參考文獻t（38）
英文縮略詞及術語t（41）
主要符號表t（41）

第2章 圖像稀疏表示與壓縮感知概要t（13）
2．1 稀疏表示t（13）
2．1．1 稀疏表示基本原理t（15）
2．1．2 稀疏逼近與優化演算法t（17）
2．2 字典學習t（22）
2．2．1 MOD方法t（23）
2．2．2 K-SVD方法t（24）
2．3 由稀疏表示到壓縮感知t（28）
2．3．1 不相干感知與稀疏信號復原t（30）
2．3．2 穩定壓縮感知t（31）
2．4 代表性應用t（35）
2．4．1 稀疏信號恢復t（35）
2．4．2 模式分析與識別t（36）
2．5 本章結語t（37）
參考文獻t（38）

第3章 金屬氣密封裝HIC抗振可靠性設計分析t（104）
3．1 HIC封裝抗振可靠性要求與失效問題t（104）
3．1．1 金屬氣密封裝及功能t（104）
3．1．2 氣密封裝抗振可靠性要求t（105）
3．1．3 HIC封裝振動損傷和疲勞失效問題t（106）
3．2 結構諧振分析方法t（107）
3．2．1 模態分析和固有頻率t（107）
3．2．2 諧振損傷模式t（108）
3．3 振動疲勞分析方法t（109）
3．3．1 金屬疲勞失效及其特點t（109）
3．3．2 S-N曲線t（110）
3．3．3 Miner線性疲勞累積損傷理論t（112）
3．3．4 隨機載荷譜t（113）
3．4 HIC元件振動特性類比與分析t（114）
3．4．1 實體模型和有限元建模t（114）
3．4．2 HIC組件振動模態類比t（116）
3．4．3 隨機振動載荷下HIC組件應力回應類比t（117）
3．5 HIC組件振動模態及隨機振動試驗t（121）
3．5．1 振動試驗夾具設計t（121）
3．5．2 錘擊法模態試驗t（121）
3．5．3 聲頻激勵法模態試驗t（124）
3．5．4 模態試驗與模擬結果對比t（127）
3．5．5 隨機振動試驗t（128）
3．5．6 隨機振動試驗與模擬計算結果對比t（128）
3．6 HIC組件隨機振動疲勞壽命預測t（130）
3．6．1 隨機振動下材料疲勞壽命預測方法t（130）
3．6．2 HIC元件隨機振動疲勞壽命預測方法t（132）
3．6．3 HIC組件振動疲勞壽命預測t（133）
3．7 HIC封裝振動疲勞失效機理分析t（137）
3．7．1 氣密封裝外殼振動疲勞失效模式t（137）
3．7．2 封裝材料振動疲勞影響因素分析t（138）
3．7．3 氣密封裝振動疲勞失效機理t（139）
3．8 HIC金屬氣密封裝抗振可靠性設計與分析t（140）
3．8．1 平行封焊焊接原理t（140）
3．8．2 平行封焊品質與可靠性影響因素t（141）
3．8．3 焊縫寬度與HIC抗振設計分析t（143）
3．8．4 蓋板厚度與HIC抗振設計分析t（145）
3．8．5 HIC封裝抗振可靠性設計解決方案t（147）
參考文獻t（149）
英文縮略詞及術語t（151）
主要符號表t（151）

第4章 行波管抗振可靠性設計t（152）
4．1 行波管應用背景t（152）
4．1．1 真空電子器件t（152）
4．1．2 行波管t（153）
4．1．3 行波管的可靠性問題t（155）
4．2 使用環境分析t（156）
4．3 電子槍元件電參數和結構設計指標t（157）
4．3．1 無截獲柵控電子槍電參數和設計指標t（158）
4．3．2 柵控電子槍的結構可靠性設計t（160）
4．4 抗振可靠性設計參考標準t（161）
4．4．1 真空電子元件抗振設計要求t（161）
4．4．2 相關標準t（161）
4．4．3 真空電子元件振動試驗內容t（162）
4．5 電子槍元件的抗振模擬設計方法t（170）
4．5．1 模態分析t（171）
4．5．2 諧回應分析t（174）
4．5．3 譜分析t（174）
4．6 電子槍元件固有振動特性分析t（175）
4．6．1 柵控電子槍結構及動力學分析t（175）
4．6．2 結構建模分解及邊界條件處理t（176）
4．6．3 模態計算模型t（177）
4．6．4 柵控電子槍的模態分析及結果t（178）
4．7 工作狀態下的電子槍模態分析t（180）
4．7．1 預應力下模態分析基本理論t（181）
4．7．2 溫度場模擬分析t（181）
4．7．3 溫度預應力下模態分析結果t（184）
4．8 行波管電子槍元件的結構抗振可靠性設計t（185）
4．8．1 電子槍結構抗振可靠性優化設計t（185）
4．8．2 工藝優化設計及共振回應分析t（191）
4．9 行波管電子槍材料熱物理性能參數t（195）
4．9．1 熱導率、熱膨脹係數、彈性模量t（195）
參考文獻t（198）
英文縮略詞及術語t（200）
主要符號表t（200）

第5章 微組裝裸晶片篩選與可靠性評價t（202）
5．1 KGD技術t（202）
5．1．1 KGD生產流程t（203）
5．1．2 KGD老煉方法t（205）
5．2 KGD技術發展和應用t（207）
5．2．1 KGD技術發展t（207）
5．2．2 KGD測試方法和條件t（209）
5．2．3 KGD技術標準t（213）
5．3 組裝晶片的KGD流程t（215）
5．4 半導體晶片失效機理、缺陷與可靠性篩選專案t（217）
5．4．1 主要失效機理和缺陷t（217）
5．4．2 失效模式與可靠性篩選t（217）
5．4．3 可靠性篩選專案確定原則t（218）
5．5 裸晶片老煉篩選與評價技術t（222）
5．5．1 裸晶片篩選流程t（222）
5．5．2 老煉篩選應力條件t（222）
5．5．3 品質保證要求t（226）
5．6 裸晶片臨時封裝夾具系統t（227）
5．6．1 分立器件裸晶片臨時封裝KGD夾具系統t（229）
5．6．2 微波裸晶片臨時封裝KGD夾具系統t（235）
5．7 分立器件裸晶片老煉篩選與可靠性評價案例t（240）
5．7．1 裸晶片抗氧化防護t（241）
5．7．2 脈衝老煉電路設計t（241）
5．7．3 高溫烘焙與溫度迴圈試驗t（243）
5．7．4 裸晶片裝配和電參數測量t（243）
5．7．5 高溫柵偏壓試驗t（245）
5．7．6 串列脈衝功率老煉試驗t（246）
5．7．7 評價結果與分析t（247）
參考文獻t（249）
英文縮略詞及術語t（250）

第6章 基於失效物理的元器件故障樹構建方法及應用t（251）
6．1 元器件故障樹分析需求和問題t（251）
6．1．1 失效分析、根因分析和歸零分析t（252）
6．1．2 可靠性設計分析t（253）
6．2 故障樹分析相關標準t（254）
6．2．1 國家標準和國家軍用標準標準t（254）
6．2．2 IEC標準t（255）
6．2．3 NASA應用手冊t（256）
6．3 故障樹、故障事件及其演繹邏輯t（257）
6．3．1 故障樹模式t（258）
6．3．2 故障事件和分辨極限t（261）
6．3．3 邏輯門t（262）
6．3．4 故障事件的演繹邏輯t（263）
6．4 基於失效物理的元器件故障樹構建方法t（266）
6．4．1 失效物理過程事件及邏輯關係t（267）
6．4．2 基於失效物理的故障樹構建方法t（272）
6．4．3 故障樹簡化和驗證t（276）
6．5 元器件多態故障樹及元器件故障資訊庫t（279）
6．5．1 混合積體電路多態故障樹t（279）
6．5．2 系統級封裝（SiP）元件多態故障樹t（282）
6．5．3 密封電磁繼電器多態故障樹t（284）
6．5．4 低頻電連接器多態故障樹t（289）
6．5．5 以故障樹為載體的元器件故障資訊庫構建t（291）
6．6 元器件FTA及可靠性設計應用t（293）
6．6．1 故障樹分析基本方法t（293）
6．6．2 FTA在可靠性設計分析中的應用t（298）
6．6．3 FTA在品質問題歸零分析中的應用t（299）
6．6．4 元器件故障樹分析應用案例t（300）
參考文獻t（304）
英文縮略詞及術語t（305）

附錄A 基於失效物理的可靠性預測方法與標準現狀t（307）
A．1 技術發展與標準現狀t（307）
A．2 標準採納的失效物理模型及應用特點t（307）
A．3 標準方法和模型的演變t（309）
參考文獻t（321）

附錄B 多熱源元件熱性能指標及評價方法t（322）
引言t（322）
B．1 範圍t（323）
B．2 規範性引用檔t（323）
B．3 術語和定義t（323）
B．4 熱性能指標t（330）
B．5 熱性能檢測方法t（335）
B．6 熱性能評價方法t（338）
B．7 晶片並列式MCM熱模型與熱評價案例t（343）
B．8 晶片疊層式MCM熱模型與熱分析示例t（348）
B．9 半導體器件熱降額應用分析示例t（350）
參考文獻t（352）

附錄C 電子元器件故障樹分析方法與程式t（354）
引言t（354）
C．1 範圍t（354）
C．2 規範性引用檔t（355）
C．3 術語和定義t（355）
C．4 一般要求t（358）
C．5 詳細要求t（360）
C．6 元器件故障樹符號、事件標號和子樹代號說明t（369）
C．7 元器件故障樹分析應用案例t（371）
參考文獻t（371）