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【电子杂志】新電子科技雜誌 08月號/2018 第389期
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ISBN |
E9771022292001 |
定价 |
NT120 |
售价 |
RM18.60 |
作者 |
新電子編輯部
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出版社 |
新電子
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出版日期 |
2018-08-02 |
库存量 |
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迎合高效能/功率密度需求 GaN成長/普及率步步高升 迎合高效能/功率密度需求 GaN成長/普及率步步高升
現今電子系統持續朝大功率、小體積發展,使得電源系統散熱和轉換效率面臨嚴苛的挑戰;而目前矽材料所製成的功率元件性能逐漸接近理論極限,在電子系統電源效率的提升上也遭逢了瓶頸。因此,電源供應商紛紛轉往寬能隙功率半導體發展,GaN因而成為電源設計新寵兒,其商機和普及率也跟著火速成長。
時序邁入酷熱的夏季,用電量屢破新高的新聞也時有所聞,像是在5月30號,全台用電量為3677.1萬瓩,創下歷史新高;5月31號的用電量則是3671.3萬瓩,歷史次高。用電量屢破新高也顯示出節能的重要性,因此提升能源使用效率勢必是未來產官學各界的重點發展方向。
宜普電源轉換公司(EPC)首席執行長Alexander Lidow表示,電力成本是推動社會經濟持續健康發展的主要動力,原因在於提高成本效益使人們能享有更佳的生活素質,並推動全新應用和產業的發展。
因應節能減碳需求,半導體業者近年積極投入、研發新的元件和技術,力求提升高功率電源系統能源效率。然而,目前矽(Si)技術已經達到其性能極限,已不再是前瞻技術,難以滿足社會對越來越高效的電力需求。因此,需要一種全新的半導體材料,氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等新興功率元件便趁勢而起。
GaN成長加速起飛
根據研究機構Yole Développement研究顯示,2016年GaN功率元件產業規模約為1,200萬美元,預計到2022年該市場將成長至4.6億美元,年複合成長率高達79%(表1)。包括光達(LiDAR)、無線功率和封包追踪等應用,尤其是高階低/中壓應用,GaN技術是滿足其特定需求的唯一現有解決方案。
※新電子科技雜誌簡介
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