半導體材料（第四版）

緒論1

第1章 矽和鍺的化學製備4
1.1矽和鍺的物理化學性質4
1.2高純矽的製備6
1.3鍺的富集與提純13

第2章 區熔提純16
2.1相圖16
2.2分凝現象與分凝係數25
2.3區熔原理29
2.4鍺的區熔提純38

第3章 晶體生長39
3.1晶體生長理論基礎39
3.2熔體的晶體生長55
3.3矽、鍺單晶生長61

第4章 矽、鍺晶體中的雜質和缺陷68
4.1矽、鍺晶體中雜質的性質68
4.2矽、鍺晶體的摻雜71
4.3矽、鍺單晶的位錯87
4.4矽單晶中的微缺陷92

第5章 矽外延生長96
5.1外延生長概述96
5.2矽襯底製備98
5.3矽的氣相外延生長102
5.4矽外延層電阻率的控制113
5.5矽外延層的缺陷118
5.6矽的異質外延122

第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體127
6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的特性127
6.2砷化鎵單晶的生長方法133
6.3砷化鎵單晶中雜質的控制140
6.4砷化鎵單晶的完整性144
6.5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的製備146

第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長150
7.1氣相外延生長（VPE）150
7.2金屬有機物氣相外延生長（MOVPE）153
7.3液相外延生長（LPE）160
7.4分子束外延生長（MBE）165
7.5化學束外延生長（CBE）169
7.6其他外延生長技術171

第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體176
8.1異質結與晶格失配177
8.2GaAlAs外延生長178
8.3InGaAsP外延生長182

第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體187
9.1Ⅱ-Ⅵ族化合物單晶材料的製備187
9.2Ⅱ-Ⅵ族化合物的點缺陷與自補償現象193
9.3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料196

第10章 低維結構半導體材料201
10.1低維結構半導體材料的基本特性201
10.2半導體超晶格與量子阱202
10.3半導體量子線與量子點211
10.4低維結構半導體材料的現狀及未來215

第11章 氧化物半導體材料217
11.1氧化物半導體材料的製備217
11.2氧化物半導體材料的電學性質220
11.3氧化物半導體材料的應用223

第12章 寬禁帶半導體材料228
12.1Ⅲ族氮化物半導體材料228
12.2SiC材料237

第13章 其他半導體材料248
13.1窄帶隙半導體248
13.2黃銅礦型半導體250
13.3非晶態半導體材料251
13.4有機半導體材料252
13.5鈣鈦礦半導體材料255

參考文獻256