【电子杂志】新電子科技雜誌 01月號/2020 第406期


	兼具高容量/可微縮優勢新興記憶體崛起銳不可擋兼具高容量/可微縮優勢新興記憶體崛起銳不可擋 “AI和5G等應用讓資料量大增，使儲存需求爆發；半導體產業因而轉向發展具高容量、更快速及低功耗等優勢的新興記憶體。” 物聯網(IoT)、人工智慧(AI)、5G、工業4.0等應用推升資訊量呈現爆炸性的成長，所有資料都必須在邊緣蒐集，並且從邊緣到雲端的多個層級進行處理和傳輸、儲存和分析。因應如此龐大的資料儲存、傳輸需求，在DRAM、SRAM，以及NAND Flash等傳統記憶體已逐漸無法負荷，且再加上傳統記憶體的製程微縮愈加困難的情況之下，驅使半導體產業轉向發展更高儲存效能、更低成本同時又可以朝製程微縮邁進的新興記憶體。 AI/5G新應用催動新興記憶體發展腳步 AI、5G、IoT和工業4.0等發展讓資訊量呈現爆炸式的成長，而這些資料都必須在邊緣收集，接著從邊緣到雲端進行多個層級的傳輸、處理、儲存和分析，以將大量的資量轉變為有價值的資訊。此一趨勢不僅帶來全新的運算需求，資料量的猛烈成長，對於高容量、高讀寫次數及更快讀寫速度的記憶體需求也明顯上升。因此，新興記憶體如磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、鐵電隨機存取記憶體(FRAM)、電阻式隨機存取記憶體(RRAM)和相變隨機存取記憶體(PCRAM)等便相繼興起。工研院電子與光電系統所所長吳志毅(圖1)表示，5G與AI時代來臨，且產生的資料量更多、更廣，因此會有更大的儲存需求；而要有更快的運算效率，意味著記憶體的讀取速度也要再加快。因此，5G、AI的出現，驅使記憶體朝更大容量、更快讀取速度發展，也因此，各大記憶體業者開始加快並投入更多資源開發新興記憶體，能突破既有運算限制的下世代記憶體將在未來扮演更重要角色，期能在日後取代目前主流的三大記憶體產品(分別為DRAM、Flash和SRAM)。 ※新電子科技雜誌簡介新電子科技雜誌於1986年創刊，以台灣資訊電子上下游產業的訊息橋樑自居，提供國際與國內電子產業重點資訊，以利產業界人士掌握自有競爭力。雜誌內容徹底執行各專欄內容品質，透過讀者回函瞭解讀者意見，調整方向以專業豐富的內容建立特色；定期舉辦研討會、座談會、透過產業廠商的參與度，樹立專業形象；透過網際網路豐富資訊的提供，資訊擴及華人世界。更多資訊請參考：http://www.mem.com.tw 目錄列表: 新電子科技雜誌 01月號/2020 第406期封面目錄編者的話封面故事：高速運算添新「憶」技術解密是時候了！改變科技快轉人生 PCIe/USB一搭一唱物聯網安全高峰論壇物聯網時代資安第一落實辨識與可視化物聯網安全門戶洞開快速導入設計扮關鍵三大戰略循序漸進高效/節能為王道突破傳統自動化限制四種關鍵技術撐腰智造現場購併Barefoot 菁英開講新聞直擊新品上市產業特搜廣告索引



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